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IRLZ44NPBF中文资料

IRLZ44NPBF图片

IRLZ44NPBF外观图

  • 大小:102.3KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:47A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.8°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:83W; Pulse Current Idm:160A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:...
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:47A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:48nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大:110W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRLZ44NPBF

IRLZ44NPBF供应商

更新时间:2023-01-08 07:17:14
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